一種TFT玻璃薄膜層沉積裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020792130.4 申請日 -
公開(公告)號 CN212451632U 公開(公告)日 2021-02-02
申請公布號 CN212451632U 申請公布日 2021-02-02
分類號 C23C16/46(2006.01)I; 分類 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 程言軍;蔣燕紅;蔣來紅 申請(專利權(quán))人 安徽帝顯電子有限公司
代理機構(gòu) 北京和聯(lián)順知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李照
地址 243000安徽省馬鞍山市鄭蒲港新區(qū)姥橋鎮(zhèn)聯(lián)合路廣納標準化廠房13#廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種TFT玻璃薄膜層沉積裝置,包括沉積源、沉積源噴嘴、連接構(gòu)件、圖案化縫隙片、基底、U型管、滑軌、驅(qū)動機構(gòu)和電動伸縮桿,所述沉積源和圖案化縫隙片之間通過框形的連接構(gòu)件相連接,所述沉積源與沉積源噴嘴相連接,所述沉積源噴嘴位于圖案化縫隙片的下方,所述連接構(gòu)件的兩側(cè)固定連接有滑軌,所述基底的上表面鋪設(shè)有多根平行排列的U型管。通過流體控溫系統(tǒng)向U型管中通入一定溫度的流體,實現(xiàn)對基底的控溫;能夠擴大TFT玻璃薄膜的最終成型面積,適用大尺寸TFT玻璃薄膜的生產(chǎn);且在移動過程中配合流體控溫系統(tǒng)使用,對移出圖案化縫隙片所在區(qū)域且初步成型的TFT玻璃薄膜,極速降溫,便于薄膜脫離基底和成型。??