一種減少硅襯底上AlN薄膜微孔洞的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110583269.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113471060A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471060A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張建立;楊小霞;鄭暢達;王小蘭;高江東;李丹;江風益 申請（專利權）人 南昌硅基半導體科技有限公司
代理機構 江西省專利事務所 代理人 張文
地址 330031江西省南昌市紅谷灘新區(qū)學府大道999號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種減少硅襯底上AlN薄膜微孔洞的制備方法，包括硅襯底預處理和在經(jīng)過預處理的硅襯底上生長AlN薄膜，生長AlN薄膜過程中摻雜原子半徑比Al原子半徑大的Mg原子。本發(fā)明一方面利用Mg原子在生長過程中對AlN薄膜形成壓應力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易團聚形成間隙原子填充微孔洞，從而大幅降低硅襯底上AlN薄膜微孔洞的生成。本發(fā)明的制備方法工藝簡單，可實現(xiàn)高穩(wěn)定性、高重復性的硅襯底AlN外延材料制備，解決了現(xiàn)有技術中AlN薄膜由于Al原子遷移弱、AlN與硅襯底之間的張應力大等導致孔洞多的問題。