一種AlGaInN發(fā)光二極管的接觸結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111158607.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113921677A 公開（公告）日 2022-01-11
申請公布號 CN113921677A 申請公布日 2022-01-11
分類號 H01L33/40（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳小明;莫春蘭;陳芳;王立;李新華;蔣愷 申請（專利權）人 南昌硅基半導體科技有限公司
代理機構 江西省專利事務所 代理人 張文
地址 330031江西省南昌市紅谷灘新區(qū)學府大道999號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種AlGaInN發(fā)光二極管的接觸結構，包括AlGaInN接觸層，第一接觸層和第二接觸層；第二接觸層越過第一接觸層與AlGaInN接觸層接觸；第一接觸層位于AlGaInN接觸層和第二接觸層之間；第一接觸層至少與AlGaInN接觸層和第二接觸層的一個是肖特基接觸或者絕緣。本發(fā)明通過改變第一接觸層面積，調節(jié)AlGaInN接觸層與第二接觸層的在各處的接觸面積和電阻，在保證電流在第二接觸層上傳輸的前提下，分配AlGaInN接觸層和器件各處所獲得的電流比例。