一種適用于制備高In組分InGaN材料的反應裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022488531.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214655232U 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN214655232U 申請公布日 2021-11-09
分類號 C23C16/34（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;C23C16/48（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 全知覺;諸榮烽;曹盛;吳先民;何麗華;湯繪華;佟金山 申請（專利權）人 南昌硅基半導體科技有限公司
代理機構 江西省專利事務所 代理人 張文
地址 330031江西省南昌市紅谷灘新區(qū)學府大道999號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種適用于制備高In組分InGaN材料的反應裝置，該反應裝置包括反應腔體、樣品臺裝置、束源爐、氣體離化器、真空系統(tǒng)和加熱裝置，其中：加熱裝置包括襯底加熱裝置和腔體加熱裝置。本實用新型提供的反應裝置通過在加熱器載板上設置襯底加熱裝置和帶冷卻管道的反光杯，使得加熱光束和輻射熱量聚焦至襯底的表面，提高了加熱功率利用率，并隔絕加熱光源對腔體內的各種元器件的直接輻照，降低了元器件因溫度過高而產生損壞的風險。本實用新型提供的反應裝置還具有能耗低、產量大、材料質量優(yōu)異等諸多優(yōu)點。