一種具有全方位反射電極的GaN基LED芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210076426.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114122218A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114122218A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L33/40（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳芳;吳小明;莫春蘭;鄭暢達(dá);蔣愷;王立 申請（專利權(quán)）人 南昌硅基半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌恒橋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 許明亮
地址 330000江西省南昌市南昌高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)艾溪湖北路679號2棟工程技術(shù)研究中心附樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有全方位反射電極的GaN基LED芯片，所述芯片從下至上依次包括基板、鍵合金屬層、全方位反射電極、量子阱有源層、P型GaN層、上電極，所述全方位反射電極由依次接觸的N型GaN層、低折射率介質(zhì)層、高光反射金屬層組成，所述低折射率介質(zhì)層經(jīng)腐蝕處理后，和高光反射金屬層二者復(fù)合形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還公開了該GaN基LED芯片的制備方法。本發(fā)明有效減少了上電極正下方無效的電流注入，減小了上電極對正下方發(fā)光區(qū)域的遮擋，可以同時兼顧芯片的電流擴(kuò)展性能和高光反射性能，最終提升GaN基LED芯片的光提取效率。