一種高反射低歐姆接觸電極的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110575377.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113437194A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437194A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳小明;胡志敏;陳芳;莫春蘭;王立 申請（專利權(quán)）人 南昌硅基半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 江西省專利事務(wù)所 代理人 張文
地址 330031江西省南昌市紅谷灘新區(qū)學府大道999號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高反射低歐姆接觸電極的制備方法，所述高反射低歐姆接觸電極主要應(yīng)用在半導發(fā)光芯片中。制造過程中，在襯底上生長多層包括N型層、發(fā)光層和P型層的氮化物。所述高反射低歐姆接觸電極是制備在P型層的氮化物之上，且為能與P型層形成良好歐姆接觸的金屬納米點和Ag反射鏡的雙層結(jié)構(gòu)。金屬納米點的存在，有效地改善了Ag反射鏡的薄膜晶體質(zhì)量，顯著地提高了Ag反射鏡的反射率，降低了半導發(fā)光芯片的工作電壓，從而提升了半導發(fā)光芯片的電光轉(zhuǎn)化效率。