一種低應(yīng)力TiW薄膜的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110555105.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN113445005A | 公開（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申請公布號 | CN113445005A | 申請公布日 | 2021-09-28 |
| 分類號 | C23C14/16（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/22（2006.01）I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 吳小明;王子超;陳芳;王光緒;陶喜霞 | 申請（專利權(quán)）人 | 南昌硅基半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江西省專利事務(wù)所 | 代理人 | 張文 |
| 地址 | 330031江西省南昌市紅谷灘新區(qū)學(xué)府大道999號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種低應(yīng)力TiW薄膜的制備方法，它是在待沉積薄膜的基片上，小沉積速率下生長偏薄的種子薄膜層，大沉積速率下生長主要薄膜層，通過控制生長的厚度和速率，使得兩層的薄膜達(dá)到最優(yōu)結(jié)合，得到低應(yīng)力的TiW薄膜。本發(fā)明在基片上分步沉積TiW薄膜，小沉積速率下生長的種子薄膜層致密度高，通過與基片原子相互融合獲得具有高可靠性的界面；大沉積速率下生長的主要薄膜層，在種子層緩沖基礎(chǔ)上生長的薄膜附著力增強(qiáng)，使得TiW薄膜厚度穩(wěn)定、分布均勻，對基片的應(yīng)力減弱、消散，使其變形量較小并得到低應(yīng)力高質(zhì)量的TiW薄膜的制備方法。本發(fā)明的TiW薄膜可以通過常用沉積方式進(jìn)行制備，獲得薄膜的穩(wěn)定性高，膜層應(yīng)力低，具有較好的可用及推廣性。 |
