一種n型AlGaN上的低阻歐姆電極結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111097152.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113921600A 公開（公告）日 2022-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN113921600A 申請(qǐng)公布日 2022-01-11
分類號(hào) H01L29/45（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 莫春蘭;邢嘯泉;吳小明;王立;李新華;陳芳;江風(fēng)益 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌硅基半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江西省專利事務(wù)所 代理人 張文
地址 330031江西省南昌市紅谷灘新區(qū)學(xué)府大道999號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種n型AlGaN上的低阻歐姆電極結(jié)構(gòu)及其制備方法，該n型AlGaN上的低阻歐姆電極結(jié)構(gòu)包括：n型AlGaN層，金屬電極層，其特征在于：在所述n型AlGaN層和金屬電極層之間設(shè)有一個(gè)AlN界面層；所述的n型AlGaN層和AlN界面層指向金屬電極層的面為氮極性面；n型AlGaN層中的Al組分大于50%；AlN界面層的厚度為50?150nm。該制備方法通過在高Al組分n型AlGaN層上引入AlN界面層，從而達(dá)到較低接觸電阻的目的。本發(fā)明可有效地解決高Al組分n型AlGaN接觸電阻較高的問題。