一種基于增強(qiáng)型PHEMT的ESD保護(hù)電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820229237.0 申請日 -
公開（公告）號 CN208127877U 公開（公告）日 2018-11-20
申請公布號 CN208127877U 申請公布日 2018-11-20
分類號 H02H9/04 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 曹然 申請（專利權(quán)）人 蘇州容芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫中瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 栗星星
地址 215612 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰大道鳳凰科創(chuàng)園D棟3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種基于增強(qiáng)型PHEMT的ESD保護(hù)電路，包括ESD偏置電路和電阻，還包括兩個(gè)串聯(lián)連接的增強(qiáng)型PHEMT管T1和T2，所述T1的源極與T2的源極連接，所述T1的漏極連接到需要ESD電路保護(hù)的芯片焊盤上，所述T2的漏極接地，所述ESD偏置電路設(shè)置有兩個(gè)，分別連接在所述T1的漏極和柵極之間和所述T2的柵極和漏極之間，所述T1的柵極和源極之間連接有電阻R1，所述T2的源極和柵極之間接電阻R2。本實(shí)用新型效果采用增強(qiáng)型PHEMT管背靠背串聯(lián)連接組成ESD保護(hù)電路，可以降低負(fù)載電容，使得本實(shí)用新型適用于高頻率電路，采用串聯(lián)若干個(gè)二極管提供ESD偏置電壓，可以提高ESD電路的導(dǎo)通電壓，使得本實(shí)用新型適用于高輸入功率的場合，而且可在芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)成本低。