一種基于增強型PHEMT的ESD保護電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810131749.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108110746A 公開（公告）日 2018-06-01
申請公布號 CN108110746A 申請公布日 2018-06-01
分類號 H02H9/04 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 曹然 申請（專利權）人 蘇州容芯微電子有限公司
代理機構 無錫中瑞知識產權代理有限公司 代理人 栗星星
地址 215612 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰大道鳳凰科創(chuàng)園D棟3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于增強型PHEMT的ESD保護電路，包括ESD偏置電路和電阻，還包括兩個串聯連接的增強型PHEMT管T1和T2，所述T1的源極與T2的源極連接，所述T1的漏極連接到需要ESD電路保護的芯片焊盤上，所述T2的漏極接地，所述ESD偏置電路設置有兩個，分別連接在所述T1的漏極和柵極之間和所述T2的柵極和漏極之間，所述T1的柵極和源極之間連接有電阻R1，所述T2的源極和柵極之間接電阻R2。本發(fā)明效果采用增強型PHEMT管背靠背串聯連接組成ESD保護電路，可以降低負載電容，使得本發(fā)明適用于高頻率電路，采用串聯若干個二極管提供ESD偏置電壓，可以提高ESD電路的導通電壓，使得本發(fā)明適用于高輸入功率的場合，而且可在芯片內部實現，實現成本低。