邊緣刻蝕設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120140290.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213958925U 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN213958925U 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳鎬碩;樸靈緒 申請（專利權(quán)）人 蘇州恩騰半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 215024江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)02棟703室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種邊緣刻蝕設(shè)備，包括設(shè)備腔體、一個氫氟酸刻蝕槽、至少兩個去離子水清洗槽、干燥棧及晶圓移動裝置；氫氟酸刻蝕槽、去離子水清洗槽、干燥棧及晶圓移動裝置均位于設(shè)備腔體內(nèi)，晶圓移動裝置將在氫氟酸刻蝕槽內(nèi)完成邊緣刻蝕的晶圓移動到去離子水清洗槽中進(jìn)行清洗，之后送到干燥棧進(jìn)行干燥；氫氟酸刻蝕槽內(nèi)設(shè)置有用于放置晶圓的第一載臺及液體噴嘴，干燥棧內(nèi)設(shè)置有用于放置晶圓的第二載臺。本實(shí)用新型可以有效避免等待期間因晶圓表面殘留的氫氟酸造成晶圓邊緣的過度腐蝕，可以進(jìn)一步提高晶圓表面清潔度，避免晶圓污染以及防止傳送過程中液體滴落造成傳送路徑的污染，避免傳片故障。