一種14英寸砷化鎵單晶爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201720170547.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN207452293U 公開（公告）日 2018-06-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN207452293U 申請(qǐng)公布日 2018-06-05
分類號(hào) C30B11/00;C30B29/42 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 易德福;守建川 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西德義半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 江西德義半導(dǎo)體科技有限公司
地址 344000 江西省撫州市金柅大道198號(hào)創(chuàng)業(yè)園A7棟3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種14英寸砷化鎵單晶爐，包括14英寸爐膛、2英寸PBN組件、保溫棉、爐芯、石英管、環(huán)形加熱片、封蓋；所述14英寸爐膛呈圓筒狀，所述14英寸爐膛內(nèi)沿其高度方向分為3?10段溫場，所述3?10段溫場的區(qū)域內(nèi)設(shè)有多個(gè)溫控點(diǎn)，所述石英管設(shè)置在14英寸爐膛內(nèi)的底部，所述爐芯設(shè)置在石英管內(nèi)。本實(shí)用新型設(shè)備精度高，其中分布在3?10段溫場的溫控點(diǎn)有3?10個(gè)，穩(wěn)定控制溫場，建立合適的溫場梯度，進(jìn)而有效掌握多個(gè)2英寸單晶棒同時(shí)生長的合適的溫控規(guī)律，可一次性批量式生長得到1?13根單晶，可以提高砷化鎵晶棒的生產(chǎn)效率，且成形率較高，可達(dá)80％?100％。