生產(chǎn)碳化硅單晶用熱輻射反射裝置及其制備方法與應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010663166.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111979578B 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號(hào) CN111979578B 申請公布日 2022-02-11
分類號(hào) C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C16/32（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/38（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 方帥;高超;高宇晗;宗艷民 申請（專利權(quán)）人 山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王振南
地址 250118 山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)天岳南路99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種生產(chǎn)碳化硅單晶用熱輻射反射裝置及其制備方法與應(yīng)用。所述裝置能夠形成熱輻射反射鏡面，所述熱輻射反射鏡面能夠圍繞于PVT法生產(chǎn)碳化硅單晶用長晶坩堝的外周，且能夠?qū)⑺鲔釄逄幧l(fā)出來的熱量反射回所述坩堝處。本發(fā)明通過試驗(yàn)證明，在PVT法碳化硅長晶坩堝外周設(shè)所述裝置可以降低長晶所用的功率，節(jié)約電能和長晶成本，同時(shí)可以降低碳化硅晶體出現(xiàn)晶體多型或微管等缺陷，提高良品率；另外，由于使用所述裝置后熱量主要反射回坩堝處，向外傳導(dǎo)的熱量很少，不需要對PVT法生產(chǎn)碳化硅單晶的裝置外部進(jìn)行降溫，取代了長晶裝置外的循環(huán)水或者進(jìn)出風(fēng)口的冷卻方式，減小了長晶條件出現(xiàn)波動(dòng)的幾率。