一種用于制備高質(zhì)量碳化硅晶體的保溫裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121943711.4 申請日 -
公開（公告）號 CN215593249U 公開（公告）日 2022-01-21
申請公布號 CN215593249U 申請公布日 2022-01-21
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張九陽;李霞;王永方;楊曉俐;張紅巖;高超;劉光旭;蘇麗娜 申請（專利權(quán)）人 山東天岳先進科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京君慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 馮妙娜
地址 250118山東省濟南市槐蔭區(qū)天岳南路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種用于制備高質(zhì)量碳化硅晶體的保溫裝置，包括：配套的保溫筒和保溫蓋，所述保溫筒的內(nèi)部具有空腔，所述保溫筒的頂部具有連通所述空腔的開口，在裝配狀態(tài)下，所述保溫筒的空腔內(nèi)放置有坩堝；所述保溫蓋的底部開設(shè)有與所述保溫筒同軸的圓形凹槽，所述圓形凹槽的直徑小于所述碳化硅籽晶的直徑，且大于等于所述碳化硅籽晶的直徑的三分之二，所述圓形凹槽的槽深度為30?50mm。本申請?zhí)峁┑谋匮b置，在進行碳化硅長晶的過程中能夠在籽晶的上方構(gòu)造出特定的溫場，使得制得的碳化硅晶體邊緣位置形成能夠阻擋晶體邊緣位錯向內(nèi)滑移、邊緣小角度晶界向內(nèi)延伸的環(huán)形形貌，提升碳化硅晶體中部區(qū)域的晶體質(zhì)量。