一種晶體生長方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110254960.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113061984B 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN113061984B 申請公布日 2022-03-01
分類號 C30B23/00（2006.01）I;C30B28/12（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張虎;張開端;史建偉;陰法波;張維剛;馬振華 申請（專利權(quán)）人 山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張偉樸
地址 250118山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)天岳南路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種晶體生長方法及裝置，該方法包括：（1）準(zhǔn)備階段：將組裝好的坩堝置于爐體內(nèi)，爐體外套設(shè)有石英管，石英管包括石英管內(nèi)層、夾層和石英管外層；夾層內(nèi)設(shè)置有噴液板，噴液板上開設(shè)有多個第一噴液口；石英管內(nèi)層開設(shè)有多個第二噴液口；（2）長晶階段；（3）降溫階段：控制噴液板轉(zhuǎn)動，使得第一噴液口和第二噴液口至少部分重合，冷卻液經(jīng)第一噴液口和第二噴液口噴射到爐體上。通過控制冷卻液經(jīng)第一噴液口和第二噴液口噴射到爐體上，使冷卻液以小液滴形式作用到爐體上，有利于提高爐體降溫的均勻性；且通過調(diào)節(jié)第一噴液口和第二噴液口重合部分，可實(shí)現(xiàn)爐體噴水量的定量調(diào)節(jié)和控制，可根據(jù)晶體生長不同階段提供不同的溫場。