一種利用長晶組件制備碳化硅單晶的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011257241.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112481700B 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN112481700B 申請公布日 2022-02-11
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王宗玉;高超;寧秀秀;李霞;潘亞妮;高宇晗;方帥;趙樹春;楊曉俐;張九陽 申請（專利權）人 山東天岳先進科技股份有限公司
代理機構 北京君慧知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉曉佳
地址 250118山東省濟南市槐蔭區(qū)天岳南路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N用于PVT法制備單晶的長晶組件，包括：坩堝和位于坩堝上方的加熱裝置；加熱裝置設有多個同心設置的環(huán)形加熱溫區(qū)，以使得在制備單晶的加熱和/或長晶階段，通過控制多個同心設置的環(huán)形加熱溫區(qū)的整體加熱溫度調節(jié)坩堝內的軸向溫梯，通過控制多個同心設置的環(huán)形加熱溫區(qū)中各個環(huán)形加熱溫區(qū)的加熱溫度調節(jié)坩堝內的徑向溫梯。本申請?zhí)峁┑闹苽涮蓟鑶尉У难b置，能夠控制坩堝內溫場的軸向溫梯和徑向溫梯，以提高晶體的生長速率，并保證晶體的生長環(huán)境穩(wěn)定，維持較大的晶體邊緣徑梯，提高邊緣質量，同時獲得更大尺寸的碳化硅單晶。