一種改進(jìn)的碳化硅原料合成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011511913.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112694090A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN112694090A 申請(qǐng)公布日 2021-04-23
分類號(hào) C01B32/984 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 葛明明;鮑慧強(qiáng);趙然;趙子強(qiáng);李龍遠(yuǎn);王增澤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100089 北京市海淀區(qū)長(zhǎng)春橋路11號(hào)3號(hào)樓1204
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種改進(jìn)的碳化硅原料合成方法。本申請(qǐng)主要涉及生長(zhǎng)單晶用SiC粉料合成工藝研發(fā)的技術(shù)領(lǐng)域，主要通過(guò)在合成碳化硅原料所用的碳粉和硅粉混合物中加入聚四氟乙烯，利用聚四氟乙烯的純化作用，達(dá)到提高合成碳化硅原料純度的目的；首先聚四氟乙烯加入混合，使得原料混合的更加均勻，極大地減少了碳粉的區(qū)域性聚集。在原料合成的加熱反應(yīng)過(guò)程，移動(dòng)線圈位置，使碳粉和硅粉充分反應(yīng)，并且避免局部一直處于過(guò)高溫度而導(dǎo)致的該區(qū)域碳化嚴(yán)重，達(dá)到提高碳化硅原料產(chǎn)率的目的；在降溫過(guò)程通入一定比例的氦氣，利用氦氣熱導(dǎo)率高的特性，達(dá)到縮短降溫時(shí)間的目的。在提高合成碳化硅原料質(zhì)量的同時(shí)降低了生產(chǎn)成本。