一種改進的碳化硅原料合成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011511913.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112694090A 公開（公告）日 2021-04-23
申請公布號 CN112694090A 申請公布日 2021-04-23
分類號 C01B32/984 分類 無機化學;
發(fā)明人 葛明明;鮑慧強;趙然;趙子強;李龍遠;王增澤 申請（專利權）人 國宏中宇科技發(fā)展有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 100089 北京市海淀區(qū)長春橋路11號3號樓1204
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種改進的碳化硅原料合成方法。本申請主要涉及生長單晶用SiC粉料合成工藝研發(fā)的技術領域，主要通過在合成碳化硅原料所用的碳粉和硅粉混合物中加入聚四氟乙烯，利用聚四氟乙烯的純化作用，達到提高合成碳化硅原料純度的目的；首先聚四氟乙烯加入混合，使得原料混合的更加均勻，極大地減少了碳粉的區(qū)域性聚集。在原料合成的加熱反應過程，移動線圈位置，使碳粉和硅粉充分反應，并且避免局部一直處于過高溫度而導致的該區(qū)域碳化嚴重，達到提高碳化硅原料產率的目的；在降溫過程通入一定比例的氦氣，利用氦氣熱導率高的特性，達到縮短降溫時間的目的。在提高合成碳化硅原料質量的同時降低了生產成本。