一種碳化硅晶體生長(zhǎng)余料處理再利用方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011507849.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112746325A 公開（公告）日 2021-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112746325A 申請(qǐng)公布日 2021-05-04
分類號(hào) C30B29/36;C30B35/00;F26B25/00;B02C17/18;B02C23/16;B08B3/08;B08B3/12 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 趙子強(qiáng);葛明明;張巖;鮑慧強(qiáng);李龍遠(yuǎn);王增澤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100089 北京市海淀區(qū)長(zhǎng)春橋路11號(hào)3號(hào)樓1204
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種碳化硅晶體生長(zhǎng)余料處理再利用方法。使用碳化硅晶體生長(zhǎng)余料作為主要的原材料，因此可以有效的降低成本。過(guò)程中通過(guò)碳化硅余料的破碎篩分等處理，得到適用于原料合成的粉末余料，然后使用稀硫酸清洗減少雜質(zhì)，通過(guò)將余料氧化計(jì)算其中的殘留碳單質(zhì)含量，并摻入一定比例的高純硅粉，最后放入原料合成設(shè)備中加熱反應(yīng)，得到可以正常使用的高純碳化硅原料。