一種提高碳化硅籽晶粘接質(zhì)量的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011507909.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112725892A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112725892A 申請公布日 2021-04-30
分類號 C30B29/36;C30B33/06;C30B23/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王增澤;鮑慧強;趙子強;趙然;李龍遠(yuǎn);葛明明 申請（專利權(quán)）人 國宏中宇科技發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100089 北京市海淀區(qū)長春橋路11號3號樓1204
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高碳化硅籽晶粘接質(zhì)量的方法，SiC籽晶的粘接質(zhì)量是影響晶體生長最基本也是最重要的影響因素之一，粘接的質(zhì)量直接決定了晶體的質(zhì)量，且很難通過其他的工藝參數(shù)的控制進行補救或提高。在籽晶上表面增加一個壓鐵，壓鐵施加一個豎直向下的作用力，有利于氣體逸出。設(shè)計一個固定環(huán)保證籽晶不偏移。固定環(huán)材料為高純石墨，減少其他材料的污染。固定環(huán)高度為20?50mm，厚度為5?10mm。為了減少溫度梯度，提高籽晶粘接時的均勻性，在固定環(huán)外圍包裹一圈高純石墨氈，高度與固定環(huán)相同。石墨氈減少對石墨蓋和籽晶的污染，同時增加了保溫性，減少了石墨蓋內(nèi)外的溫度梯度。