用于生長大直徑碳化硅晶體的裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201921332016.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211420368U | 公開（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申請公布號 | CN211420368U | 申請公布日 | 2020-09-04 |
| 分類號 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉兵;張巖;趙子強(qiáng);陳菲菲;趙然 | 申請（專利權(quán)）人 | 國宏中宇科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 國宏華業(yè)投資有限公司 |
| 地址 | 100089北京市海淀區(qū)長春橋路11號3號樓12層1205 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及碳化硅晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種用于生長大直徑碳化硅晶體的裝置，包括坩堝(1)，坩堝上設(shè)有坩堝蓋(2)，坩堝與坩堝蓋外部包裹保溫層(3)；保溫層上部設(shè)有第一測溫孔(41)，所述保溫層下部固定在托盤(5)上；保溫層與托盤位于石英管(6)內(nèi)；石英管(6)的兩端分別設(shè)有第一法蘭(7)和第二法蘭(8)以形成封閉結(jié)構(gòu)，第一法蘭上設(shè)有第二測溫孔(42)；石英管外部設(shè)有電磁感應(yīng)線圈(9)；石英管與電磁感應(yīng)線圈位于中空的冷卻筒(10)內(nèi)；冷卻筒上部設(shè)有第三測溫孔(43)，第三測溫孔的上方設(shè)有測溫裝置(11)。采用本實(shí)用新型能夠優(yōu)化晶體生長過程中的溫場分布，減少熱應(yīng)力，提高晶體成品率。?? |
