溫度控制方法、裝置、系統(tǒng)及機(jī)器可讀存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911042950.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110983442A 公開（公告）日 2020-04-10
申請公布號 CN110983442A 申請公布日 2020-04-10
分類號 C30B29/36;C30B23/00;G05D23/19 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張巖;劉兵;鮑慧強(qiáng);李龍遠(yuǎn);趙然;趙子強(qiáng);陳菲菲 申請（專利權(quán)）人 國宏中宇科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 嚴(yán)政;劉依云
地址 100081 北京市海淀區(qū)氣象路9號院8號樓4層418
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種溫度控制方法、裝置、系統(tǒng)及機(jī)器可讀存儲介質(zhì)。加熱線圈豎直套裝在加熱容器外，用于與電源連接以使加熱容器被加熱到預(yù)設(shè)溫度值，該方法包括：監(jiān)測所述加熱容器的頂部實際溫度值和底部實際溫度值；控制所述加熱線圈上下移動以使所述頂部實際溫度值與所述底部實際溫度值的實際溫差值為目標(biāo)溫差值。本發(fā)明通過自動控制加熱線圈的位置，可實現(xiàn)對晶體生長過程中石墨坩堝上下溫差的有效控制，提高晶體生長溫場分布的穩(wěn)定性。