一種減少碳化硅晶體包裹物的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011511628.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112746316A 公開（公告）日 2021-05-04
申請公布號 CN112746316A 申請公布日 2021-05-04
分類號 C30B23/00;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王增澤;鮑慧強(qiáng);張巖;趙子強(qiáng);李龍遠(yuǎn);葛明明 申請（專利權(quán)）人 國宏中宇科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100089 北京市海淀區(qū)長春橋路11號3號樓1204
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種減少碳化硅晶體包裹物的坩堝結(jié)構(gòu)，包括凸形坩堝（1）、晶體生長原料（2）、籽晶托（3）；凸形坩堝（1）剖視形如“凸”字形，具有圓柱狀的底部（11）和圓柱狀的上部（12），原片形頂蓋（13），晶體生長原料（2）基本充滿底部（11）；籽晶托（3）的涂覆涂層（31）；涂層材料是鈦、鉭、鎢或其碳化物。還公開一種減少碳化硅晶體中碳包裹物的方法，針對該坩堝結(jié)構(gòu)以實(shí)施，包括坯料選用、成型步驟、燒成階段三個步驟。以及一種碳化硅晶體生長方法，其利用該坩堝結(jié)構(gòu)以實(shí)施，包括涂覆和預(yù)燒、填裝碳化硅生長原料步驟、實(shí)際生長步驟。