一種用于多晶硅生產(chǎn)中的63對棒還原爐底盤

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021867941.2 申請日 -
公開（公告）號 CN213231540U 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN213231540U 申請公布日 2021-05-18
分類號 C01B33/021 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 晏濤;唐文東;庹如剛;劉斌 申請（專利權(quán)）人 四川永祥新能源有限公司
代理機構(gòu) 成都天嘉專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 向丹
地址 614800 四川省樂山市五通橋區(qū)龍翔路999號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種用于多晶硅生產(chǎn)中的63對棒還原爐底盤，屬于多晶硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。包括底盤本體及63對硅棒，63對硅棒分列為六道呈圓環(huán)狀設(shè)置在底盤本體上，形成六圈硅棒環(huán)；底盤本體圓心處設(shè)置有中心尾氣出口，第六硅棒環(huán)與還原爐爐筒內(nèi)壁之間設(shè)置有呈均勻分布的外圍尾氣出口；還包括設(shè)置在六圈硅棒環(huán)中的四圈進氣噴嘴環(huán)，任意一圈進氣噴嘴環(huán)上的進氣噴嘴呈均勻分布；中心尾氣出口、硅棒對、進氣噴嘴及外圍尾氣出口之間于底盤本體上呈六等分設(shè)置，形成六個夾角為60°的扇形區(qū)，六個扇形區(qū)的邊沿形成六個氣流通道。本技術(shù)方案有效保證氣場的均勻性，實現(xiàn)氣相沉積爐內(nèi)氣場控制指標的穩(wěn)定性，并提高有效產(chǎn)量。