一種鈣鈦礦薄膜、制備方法及應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111358123.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114242901A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114242901A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L51/48（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 易陳誼;李航;王思洋;譚理國(guó);周俊杰;蔣超凡;李明昊;劉越;葉一然 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳無(wú)限光能技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 單冠飛 |
| 地址 | 518116 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍街道寶龍社區(qū)寶龍四路2號(hào)安博科技寶龍廠區(qū)2號(hào)廠房301 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種鈣鈦礦薄膜、制備方法及應(yīng)用，包括以下步驟：將M粉末和碘化鉛粉末分別放入加熱舟中，將襯底和加熱舟放到真空鍍膜機(jī)中并抽真空，加熱舟放置在襯底下方，電加熱加熱舟使M粉末和碘化鉛粉末揮發(fā)以得到鉛源薄膜；將襯底轉(zhuǎn)移至另一腔體，在鉛源薄膜上沉積一層胺鹽；退火得到鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明采用真空蒸鍍不同的鉛源獲得高平整度、高均勻性的的鉛源薄膜；采用兩步法制備鈣鈦礦薄膜，有效解決了傳統(tǒng)的兩步溶液旋涂法難以制備大面積鈣鈦礦薄膜的難題，在制備過(guò)程中不使用有機(jī)溶劑，避免了有機(jī)溶劑對(duì)鈣鈦礦薄膜下面的功能層產(chǎn)生破壞作用以及對(duì)環(huán)境的不利影響，得到的鈣鈦礦薄膜可以應(yīng)用到光電器件的制備。 |
