一種鈣鈦礦薄膜、制備方法及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111358123.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114242901A 公開（公告）日 2022-03-25
申請公布號 CN114242901A 申請公布日 2022-03-25
分類號 H01L51/48（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 易陳誼;李航;王思洋;譚理國;周俊杰;蔣超凡;李明昊;劉越;葉一然 申請（專利權(quán)）人 深圳無限光能技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 單冠飛
地址 518116 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍街道寶龍社區(qū)寶龍四路2號安博科技寶龍廠區(qū)2號廠房301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦薄膜、制備方法及應(yīng)用，包括以下步驟：將M粉末和碘化鉛粉末分別放入加熱舟中，將襯底和加熱舟放到真空鍍膜機(jī)中并抽真空，加熱舟放置在襯底下方，電加熱加熱舟使M粉末和碘化鉛粉末揮發(fā)以得到鉛源薄膜；將襯底轉(zhuǎn)移至另一腔體，在鉛源薄膜上沉積一層胺鹽；退火得到鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明采用真空蒸鍍不同的鉛源獲得高平整度、高均勻性的的鉛源薄膜；采用兩步法制備鈣鈦礦薄膜，有效解決了傳統(tǒng)的兩步溶液旋涂法難以制備大面積鈣鈦礦薄膜的難題，在制備過程中不使用有機(jī)溶劑，避免了有機(jī)溶劑對鈣鈦礦薄膜下面的功能層產(chǎn)生破壞作用以及對環(huán)境的不利影響，得到的鈣鈦礦薄膜可以應(yīng)用到光電器件的制備。