基于鹵代苯烷基胺分子的鈣鈦礦光電器件界面修飾方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111161357.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113991026A 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN113991026A 申請公布日 2022-01-28
分類號 H01L51/48（2006.01）I;H01L51/44（2006.01）I;H01L51/52（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 易陳誼;李明昊;周俊杰;譚理國;蔣超凡;李航;劉越 申請（專利權(quán)）人 深圳無限光能技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅嵐
地址 518116 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍街道寶龍社區(qū)寶龍四路2號安博科技寶龍廠區(qū)2號廠房301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)岢鲆环N基于鹵代苯烷基胺分子的鈣鈦礦光電器件界面修飾方法，通過在鈣鈦礦太陽能電池中的鈣鈦礦吸光層與空穴傳輸層之間引入基于鹵代苯乙胺分子的界面修飾層之后，由于界面缺陷被有效的鈍化，缺陷態(tài)誘導(dǎo)的非輻射復(fù)合被削弱，輻射復(fù)合增強(qiáng)，因此鈣鈦礦太陽能電池器件的開路電壓和光電轉(zhuǎn)換效率顯著提升，同時器件穩(wěn)定性也有顯著的提升。