一種鈣鈦礦光電器件的封裝的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111350060.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114242897A 公開（公告）日 2022-03-25
申請公布號 CN114242897A 申請公布日 2022-03-25
分類號 H01L51/44（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 易陳誼;蔣超凡;劉越;李航;周俊杰;李明昊;譚理國 申請（專利權(quán)）人 深圳無限光能技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫詩惠
地址 518116 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍街道寶龍社區(qū)寶龍四路2號安博科技寶龍廠區(qū)2號廠房301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦光電器件的封裝方法，包括：采用磁控濺射方法將封裝材料濺射在所述鈣鈦礦光電器件的導(dǎo)電電極層上，形成封裝層。其中，所述封裝材料為包括但不限于氧化鋁、氧化硅或聚四氟乙烯；所述封裝層的厚度為1?1000nm。本發(fā)明的封裝方法，能夠應(yīng)用于以鈣鈦礦太陽能電池為代表的金屬鹵化物鈣鈦礦光電器件中，在實現(xiàn)鈣鈦礦光電器件較高光電轉(zhuǎn)換效率的基礎(chǔ)上，對鈣鈦礦器件進(jìn)行封裝，隔絕了鈣鈦礦器件與氧氣和水的接觸，保持了封裝結(jié)構(gòu)的氣密性和穩(wěn)定性，大幅提高了鈣鈦礦光電器件的使用壽命和穩(wěn)定性。