一種單晶硅片表面微納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210359610.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114686989A 公開(kāi)（公告）日 2022-07-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114686989A 申請(qǐng)公布日 2022-07-01
分類號(hào) C30B33/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王冰;潘連勝;商劍;何翠翠;秦朗;齊錦剛;趙作福;劉亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 遼寧工業(yè)大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 北京遠(yuǎn)大卓悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 121001遼寧省錦州市太和區(qū)解放西路94號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種單晶硅片表面微納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：步驟一、將單晶硅片進(jìn)行清洗；步驟二、對(duì)所述單晶硅片進(jìn)行表面去損傷；步驟三、將所述單晶硅片放入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5％的NaOH溶液和體積分?jǐn)?shù)為5％的正丁醇的混合溶液中，75℃水浴40min后，沖洗；步驟四、將所述單晶硅片放入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40％的H2O2、質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35％的HF溶液和1.4g Cu（NO3）2的混合溶液中，45℃水浴60min后，清洗；步驟五、將所述單晶硅片放入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5％的NH4OH和質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5％的H2O2的混合溶液中，25℃水浴2min，清洗后獲得表面帶有微納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的單晶硅片。本發(fā)明具有降低單晶硅片表面反射率的特點(diǎn)。