一種SiC外延晶圓片的洗凈再生方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110516735.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113399341A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113399341A 申請公布日 2021-09-17
分類號 B08B3/02（2006.01）I;B08B3/08（2006.01）I;B08B3/10（2006.01）I;B08B3/12（2006.01）I;F26B21/14（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 清潔;
發(fā)明人 湯高;賀賢漢;徐慶斌;張正偉;蔣立峰 申請（專利權(quán)）人 上海富樂德智能科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申浩律師事務(wù)所 代理人 趙建敏
地址 200444上海市寶山區(qū)山連路181號10幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種SiC外延晶圓片的洗凈再生方法，包括如下步驟：步驟一，熱水浸泡，浸潤SiC外延晶圓片表面，去除或者疏松附著在表面的金屬化有機(jī)物；步驟二，有機(jī)溶劑浸泡，去除或者疏松附著在表面的金屬化有機(jī)物；純水沖洗去除殘留藥液；步驟三，堿溶液刻蝕，刻蝕表面的沉積膜；純水沖洗去除殘留藥液；步驟四，硝氟酸溶液中和，去除表面殘留堿，并且能刻蝕表面的沉積膜；純水沖洗去除殘留藥液；步驟五，超聲波清洗，超純水沖洗并高純氮?dú)獯蹈?；步驟六，無塵烘箱烘干。通過該方法，能去除SiC外延晶圓片表面的AlN和GaN等金屬污染物，獲得高潔凈度的SiC表面，滿足SiC外延晶圓片高潔凈度洗凈再生要求。