具有擴(kuò)散緩沖層的高壓快速軟恢復(fù)二極管的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210285197.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102820225B 公開（公告）日 2016-02-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN102820225B 申請(qǐng)公布日 2016-02-10
分類號(hào) H01L21/329(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周偉松;劉道廣;張斌;王培清 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京卅普科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 史雙元
地址 100084 北京市海淀區(qū)北京市100084-82信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了屬于半導(dǎo)體器件范圍的一種具有擴(kuò)散型緩沖層的高壓快速軟恢復(fù)二極管的制造方法。擴(kuò)散緩沖層快恢復(fù)二極管采用兩次擴(kuò)散方法制作緩沖層，在PN結(jié)和電極制備之前，首先采用一次磷擴(kuò)散，在硅片兩面生成低濃度和深結(jié)深的磷擴(kuò)散區(qū)，其后在二次磷擴(kuò)散和硼鋁擴(kuò)散過程中，一次磷擴(kuò)散的結(jié)深繼續(xù)推進(jìn)，最終一次磷擴(kuò)散比二次磷擴(kuò)散的結(jié)深深出20μm左右，一次磷擴(kuò)散前沿濃度小于1×1015/cm－3區(qū)域的深度不少于15μm；采用無缺陷區(qū)熔硅單晶和擴(kuò)散型緩沖層，可以大幅提高快速軟恢復(fù)二極管的電壓和電流水平。