一種沉積摻雜晶硅薄膜后真空腔體的清潔方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110282291.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113053718A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113053718A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01J37/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉奇堯;上官泉元 申請（專利權(quán)）人 江蘇杰太光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集智東方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳倩
地址 225500 江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)陳莊路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種沉積摻雜晶硅薄膜后真空腔體的清潔方法，包括如下步驟：S1.切斷鍍膜工藝后，將清潔用氧氣通入到真空腔體中，壓強(qiáng)為0.10?100pa；S2.向腔體內(nèi)供電；S3.停止供電、供氧；S4.將腔體回填氮?dú)猓惑w內(nèi)壓強(qiáng)為1×104pa，并抽出腔體內(nèi)氣體至壓強(qiáng)至5pa以下；S5.重復(fù)執(zhí)行步驟S4；S6.將真空腔體回填至大氣狀態(tài)。本發(fā)明利用氧等離子體清潔真空腔體在沉積摻雜晶硅薄膜后所產(chǎn)生的含磷或含硼的副產(chǎn)物以及部分未完全分解的磷烷、硼烷，整個(gè)清潔流程僅需30min，顯著縮短了開腔等待時(shí)間；氮?dú)庀牧枯^常規(guī)手段降低了90％；相關(guān)殘留物濃度可降至100PPB，較常規(guī)物理去除法殘留物濃度降低了80％。