一種TOPCon電池梯度摻雜非晶硅鈍化結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110157023.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113035969A 公開（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113035969A 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) H01L31/0216;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 上官泉元;閆路;劉奇堯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇杰太光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集智東方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳倩
地址 225500 江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)陳莊路600號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種TOPCon電池梯度摻雜非晶硅鈍化結(jié)構(gòu)，硅片的隧穿氧化層一側(cè)至少沉積有兩層摻雜非晶硅薄膜，且多層所述摻雜非晶硅薄膜的摻雜濃度由接觸所述隧穿氧化層一側(cè)起呈梯度增加。其中，每層所述摻雜非晶硅薄膜的厚度為10?40nm，多層所述摻雜非晶硅薄膜的總厚度為60?80nm。本發(fā)明提供的梯度摻雜非晶硅鈍化結(jié)構(gòu)，摻雜非晶硅層其摻雜濃度由接觸隧穿氧化層的最里層至接觸銀漿的最外層呈梯度增長(zhǎng)，最終獲得低膜厚、高鈍化性的摻雜非晶硅層，總厚度由常規(guī)100nm以上減薄至60?80nm左右，不僅有效降低了由摻雜非晶硅引起的電池背面近紅外光損耗，提升了光利用率，同時(shí)還降低了鍍膜工藝成本。