一種沉積摻雜非晶硅薄膜無繞鍍的方法和裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011139286.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112359348A | 公開（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申請公布號 | CN112359348A | 申請公布日 | 2021-02-12 |
| 分類號 | C23C16/54(2006.01)I; | 分類 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 上官泉元 | 申請（專利權(quán)）人 | 江蘇杰太光電技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集智東方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 吳倩 |
| 地址 | 225500江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)陳莊路600號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種沉積摻雜非晶硅薄膜無繞鍍的方法和裝置，包括如下步驟：S1.將硅片平躺放置在采用中空設(shè)計且僅與硅片四周邊緣位置接觸的載板上并輸送至工藝腔內(nèi)；S2.對工藝腔進(jìn)行抽真空；S3.從底部向工藝腔內(nèi)通入工藝氣體，通過位于硅片上側(cè)面的加熱裝置對硅片進(jìn)行加熱，并通過位于硅片下側(cè)的電極放電激發(fā)工藝氣體以在電極和硅片之間形成含有等離子體的反應(yīng)區(qū)域，從下往上在硅片表面沉積薄膜。本發(fā)明通過將硅片平躺放置在采用中空設(shè)計并對硅片四周邊緣位置起到支撐作用及包裹遮蓋的載板上，在工藝腔內(nèi)采用從下到上沉積薄膜的方式，由此解決沉積鍍膜過程中硅片側(cè)面甚至是非沉積面的繞鍍問題。?? |
