一種用于制備摻雜非晶硅薄膜的氣源

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011137583.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112359320A 公開（公告）日 2021-02-12
申請公布號 CN112359320A 申請公布日 2021-02-12
分類號 C23C14/16(2006.01)I; 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 上官泉元 申請（專利權(quán)）人 江蘇杰太光電技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京集智東方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳倩
地址 225500江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經(jīng)濟開發(fā)區(qū)陳莊路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于制備摻雜非晶硅薄膜的氣源，所述氣源是灌裝儲存在防爆容器里的摻雜氣體與惰性氣體的混合氣體，在使用PVD方法摻雜非晶硅鍍膜過程中，防爆容器中的混合氣體流經(jīng)減壓閥、氣體流量計，以固定流量導入鍍膜腔體中進行鍍膜使用；其中，摻雜氣體的體積濃度為1?15％，而磷烷或硼烷經(jīng)稀釋后其濃度大大降低，可有效解決純磷烷、純硼烷等劇毒、易燃的摻雜劑在運輸、裝卸、儲存和使用上的安全風險問題，且摻雜過程中無其它雜質(zhì)氣體進入非晶硅薄膜，且工廠無需專門配備用于純硅烷或硼烷存儲及使用的特種設(shè)備，工廠相應的安全設(shè)施投入降低。??