一種PECVD沉積太陽能電池摻雜層的氣源和系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011246917.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112481606A 公開（公告）日 2021-03-12
申請公布號 CN112481606A 申請公布日 2021-03-12
分類號 H01L31/18(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/54(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 閆路;上官泉元 申請（專利權）人 江蘇杰太光電技術有限公司
代理機構 北京集智東方知識產權代理有限公司 代理人 吳倩
地址 225500江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經(jīng)濟開發(fā)區(qū)陳莊路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種PECVD沉積太陽能電池摻雜層的制備方法，包括如下步驟：S1.將放置在載具上的硅片輸送到工藝腔內；S2.將工藝腔抽真空；S3.向工藝腔內通入鹵代硅烷和摻雜氣體的混合氣體，并開啟電源激發(fā)等離子體放電，同時將工藝腔升溫至反應溫度，鹵代硅烷和摻雜氣體的混合氣體在低壓真空環(huán)境中反應并在硅片表面生成摻雜的硅薄膜。本發(fā)明采用不含H的鹵代硅烷代替易燃易爆且高危的硅烷作為PECVD沉積摻雜層的反應氣體，使用安全性更高，且由于鹵代硅烷本身不含有H并且能提供沉積薄膜層所需的Si元素，而磷烷或硼烷中的H含量比較少本身不會導致起泡現(xiàn)象，由此解決了硅烷引發(fā)的沉積摻雜層起泡問題，極大提高了太陽能電池片的良率。??