一種PECVD沉積太陽(yáng)能電池?fù)诫s層的氣源和系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011246917.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN112481606A 公開(kāi)(公告)日 2021-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN112481606A 申請(qǐng)公布日 2021-03-12
分類(lèi)號(hào) H01L31/18(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/54(2006.01)I 分類(lèi) 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 閆路;上官泉元 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 江蘇杰太光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集智東方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳倩
地址 225500江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)陳莊路600號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種PECVD沉積太陽(yáng)能電池?fù)诫s層的制備方法,包括如下步驟:S1.將放置在載具上的硅片輸送到工藝腔內(nèi);S2.將工藝腔抽真空;S3.向工藝腔內(nèi)通入鹵代硅烷和摻雜氣體的混合氣體,并開(kāi)啟電源激發(fā)等離子體放電,同時(shí)將工藝腔升溫至反應(yīng)溫度,鹵代硅烷和摻雜氣體的混合氣體在低壓真空環(huán)境中反應(yīng)并在硅片表面生成摻雜的硅薄膜。本發(fā)明采用不含H的鹵代硅烷代替易燃易爆且高危的硅烷作為PECVD沉積摻雜層的反應(yīng)氣體,使用安全性更高,且由于鹵代硅烷本身不含有H并且能提供沉積薄膜層所需的Si元素,而磷烷或硼烷中的H含量比較少本身不會(huì)導(dǎo)致起泡現(xiàn)象,由此解決了硅烷引發(fā)的沉積摻雜層起泡問(wèn)題,極大提高了太陽(yáng)能電池片的良率。??