一種N型鈍化接觸太陽能電池的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911226012.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111029438B 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN111029438B 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L31/18;H01L31/0216 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳嘉;馬麗敏;包杰;林建偉 申請（專利權(quán)）人 江蘇杰太光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集智東方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳倩
地址 225500 江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)陳莊路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的一種N型鈍化接觸太陽能電池的制備方法，其依次包括N型晶體硅基體進(jìn)行雙面拋光、背面依次生長隧穿氧化層及本征非晶硅層、本征非晶硅層摻雜處理、背面沉積氮化硅薄膜、前表面進(jìn)行制絨、硼擴(kuò)散、去除正面及繞擴(kuò)到背面的硼硅玻璃層、正面制備鈍化減反膜、背面印刷銀漿及正面印刷銀鋁漿及燒結(jié)等步驟，以完成N型鈍化接觸太陽能電池的制備。本發(fā)明解決了常規(guī)工藝中因采用磷擴(kuò)散工藝引起的漏電問題，省去了一步用高溫退火激活背面摻雜源的步驟而減小了對硅基體的損傷并減少了工藝步驟，降低了生產(chǎn)成本，且采用板式PECVD設(shè)備制備氮化硅鈍化膜而避免正面制絨的時候?qū)⒖ú塾〉奈恢弥平q而造成外觀不良。