一種SiO2及摻雜多晶硅疊層鈍化薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911066621.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111009592B 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN111009592B 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L31/18;C23C16/24;C23C16/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 上官泉元;閆路;劉寧杰 申請（專利權）人 江蘇杰太光電技術有限公司
代理機構 北京集智東方知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 吳倩
地址 225500 江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經(jīng)濟開發(fā)區(qū)陳莊路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SiO2及摻雜多晶硅疊層鈍化薄膜的制備方法，包括如下步驟：鏈式連續(xù)傳輸體系，硅片在自動裝料臺裝載到載板上，帶硅片的載板經(jīng)過裝載腔抽真空并加熱；通過輸送機構輸送至PECVD工藝腔內(nèi)用SiH4和含氧氣體(O2/N2O)生成Si02薄膜；然后經(jīng)過過渡腔送到PVD工藝腔內(nèi)用離子濺射方法鍍摻雜的非晶硅薄膜；再經(jīng)過卸載腔進入大氣后在卸載臺卸載；空載板在大氣中回傳到裝載臺繼續(xù)下一個循環(huán)。該發(fā)明利用鏈式傳輸，結合了PECVD生長SiO2和PVD生長摻雜多晶硅的二合一鍍膜方案，連續(xù)運行生產(chǎn)具有產(chǎn)能高、生產(chǎn)工序少、工藝間無交叉污染和環(huán)境污染、設備投入成本低及生產(chǎn)能耗低的優(yōu)點。