一種SiO2及摻雜多晶硅疊層鈍化薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911066621.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111009592B 公開（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN111009592B 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L31/18;C23C16/24;C23C16/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 上官泉元;閆路;劉寧杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇杰太光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集智東方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳倩
地址 225500 江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)陳莊路600號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SiO2及摻雜多晶硅疊層鈍化薄膜的制備方法，包括如下步驟：鏈?zhǔn)竭B續(xù)傳輸體系，硅片在自動(dòng)裝料臺(tái)裝載到載板上，帶硅片的載板經(jīng)過裝載腔抽真空并加熱；通過輸送機(jī)構(gòu)輸送至PECVD工藝腔內(nèi)用SiH4和含氧氣體(O2/N2O)生成Si02薄膜；然后經(jīng)過過渡腔送到PVD工藝腔內(nèi)用離子濺射方法鍍摻雜的非晶硅薄膜；再經(jīng)過卸載腔進(jìn)入大氣后在卸載臺(tái)卸載；空載板在大氣中回傳到裝載臺(tái)繼續(xù)下一個(gè)循環(huán)。該發(fā)明利用鏈?zhǔn)絺鬏?，結(jié)合了PECVD生長(zhǎng)SiO2和PVD生長(zhǎng)摻雜多晶硅的二合一鍍膜方案，連續(xù)運(yùn)行生產(chǎn)具有產(chǎn)能高、生產(chǎn)工序少、工藝間無交叉污染和環(huán)境污染、設(shè)備投入成本低及生產(chǎn)能耗低的優(yōu)點(diǎn)。