一種基于PVD技術制備局部多晶硅薄膜鈍化接觸的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911087099.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111009593B 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN111009593B 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L31/18;C23C14/04;C23C14/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林建偉;陳嘉;喬振聰;馬麗敏;劉志鋒;何大娟 申請（專利權）人 江蘇杰太光電技術有限公司
代理機構 北京集智東方知識產權代理有限公司 代理人 吳倩
地址 225500 江蘇省泰州市姜堰區(qū)姜堰經濟開發(fā)區(qū)陳莊路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于PVD技術制備局部多晶硅薄膜鈍化接觸的方法。該方法通過在摻雜的晶體硅表面制備一定厚度的氧化層，在氧化層上面采用PVD的方法，利用掩膜在金屬接觸區(qū)域選擇性制備一定厚度的多晶硅薄膜，金屬化后，金屬漿料僅接觸局部鈍化接觸區(qū)域，該結構大大減少了金屬接觸區(qū)域的金屬復合，可有效提高電池的開路電壓；同時，局部鈍化接觸結構以外區(qū)域由于不含摻雜多晶硅層，相對于整面多晶硅薄膜結構電池，不會由多晶硅自身吸收而帶來光學損失，避免了短路電流的損失，從而提高電池轉換效率。