二極管制備方法及制備設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910507864.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112086369A 公開（公告）日 2020-12-15
申請公布號 CN112086369A 申請公布日 2020-12-15
分類號 H01L21/60(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉林;李濤;袁強;沈新才;曾靜 申請（專利權(quán)）人 領(lǐng)凡新能源科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京智晨知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 領(lǐng)凡新能源科技（北京）有限公司
地址 101407北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟開發(fā)區(qū)樂園大街38號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種二極管制備方法及制備設(shè)備，涉及半導(dǎo)體電子器件領(lǐng)域。所述制備方法包括：提供待焊接件，所述待焊接件包括依次層疊的電極連接片、焊接介質(zhì)和二極管芯片；對所述電極連接片進行第一激光加熱處理以融化所述焊接介質(zhì)，實現(xiàn)所述電極連接片與所述二極管芯片的焊接。采用本發(fā)明提供的二極管制備方法及制備設(shè)備，能降低制備過程中對二極管芯片造成損傷的風險。??