太陽能芯片的制備方法及太陽能芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910499757.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112071948A 公開（公告）日 2020-12-11
申請公布號 CN112071948A 申請公布日 2020-12-11
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李凱翔;潘世榮;楊發(fā)維 申請（專利權(quán)）人 領(lǐng)凡新能源科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京智晨知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 領(lǐng)凡新能源科技（北京）有限公司
地址 101407北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)樂園大街38號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及太陽能電池制備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種太陽能芯片的制備方法，包括提供一基底，在所述基底上沉積阻擋層；在所述阻擋層上沉積第一鉬膜層作為第一背電極層；在所述第一背電極層上沉積鉬鈉膜層作為第二背電極層；在所述第二背電極層上沉積第二鉬膜層作為界面層；其中，在沉積所述第一背電極層和第二背電極層時通入目標(biāo)流量的氧氣以形成背電極層。本發(fā)明還公開了一種太陽能電池，其通過控制目標(biāo)氧氣比氬氣比例增加了太陽能電池的電導(dǎo)率，提高了太陽能電池的各項性能。??