一種多層堆疊陽極鍵合結構及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011530587.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112652597A | 公開（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請公布號 | CN112652597A | 申請公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號 | H01L23/488;H01L21/60 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權）人 | 蘇州原位芯片科技有限責任公司 |
| 代理機構 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路388號G0202室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種多層堆疊陽極鍵合結構，包括陽極鍵合結構和導電薄膜，所述導電薄膜設于所述陽極鍵合結構的邊緣，且依次連通所述陽極鍵合結構的各層晶圓的上表面或下表面，該結構通過導電薄膜將晶圓上表面或下表面與邊緣連接，實現晶圓上表面或下表面與鍵合設備的有效連接，最終實現多層堆疊陽極鍵合結構的有效鍵合，克服了現有陽極鍵合設備進行多層堆疊陽極鍵合存在的問題，同時，對表面未加工結構或已加工結構的晶圓堆疊陽極鍵合都適合。 |
