一種Se-Cr2S3二維材料、制備方法及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210077747.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114497196A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114497196A 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L29/24（2006.01）I;C23C16/30（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黎博;周欣蕓;段曦東 申請（專利權(quán)）人 湖南大學(xué)深圳研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 代理人 -
地址 518063廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園南區(qū)虛擬大學(xué)園A214
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種Se?Cr2S3二維材料、制備方法及應(yīng)用，制備方法包括如下步驟：根據(jù)載氣氣流方向，將石英管的腔室分為上游高溫恒溫區(qū)與下游高溫恒溫區(qū)；將S粉與Se粉放置在上游高溫恒溫區(qū)，將CrCl3粉放置在下游高溫恒溫區(qū)；在加熱前預(yù)通入保護(hù)氣吹掃腔室以去除石英管的腔室內(nèi)的雜質(zhì)，之后將S粉、Se粉以及CrCl3粉以30℃/min的升溫速度加熱至對應(yīng)的揮發(fā)溫度；隨后將保護(hù)器變換為含氫載氣Ar/H2，控制在預(yù)設(shè)載氣流量下在沉積溫度范圍生長以得到Se?Cr2S3二維材料。本發(fā)明通過Se摻雜成功提升Cr2S3二維材料的遷移率，縮短光響應(yīng)時間以及調(diào)控其磁性能。