低重稀土磁體及制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111121038.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113871122A 公開（公告）日 2021-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113871122A 申請(qǐng)公布日 2021-12-31
分類號(hào) H01F1/057（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王傳申;彭眾杰;楊昆昆;丁開鴻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 煙臺(tái)東星磁性材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郭繼艷
地址 265500山東省煙臺(tái)市福山區(qū)永達(dá)街888號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及釹鐵硼磁體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低重稀土磁體及制造方法。低重稀土磁體由釹鐵硼磁體主體合金和低重稀土擴(kuò)散源制備而成，低重稀土擴(kuò)散源化學(xué)式為RxHyM1?x?y，其中R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一種，H是指Tb，Dy中的至少一種，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一種，所述低重稀土擴(kuò)散源結(jié)構(gòu)分布為RH相、RHM相鑲嵌均勻分布。在釹鐵硼磁體主體合金表面涂覆所述低重稀土擴(kuò)散源，并進(jìn)行擴(kuò)散和回火處理，得到低重稀土磁體，磁體晶界結(jié)構(gòu)包括主相、R殼層、過(guò)渡金屬殼層和三角區(qū)，本發(fā)明的有益之處是通過(guò)對(duì)磁體成分和低重?cái)U(kuò)散源結(jié)構(gòu)的調(diào)控，實(shí)現(xiàn)矯頑力的大幅提升。