一種AL
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010913150.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112053934A | 公開（公告）日 | 2020-12-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112053934A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-08 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高陽(yáng);李春勇;舒凱;仇伯倉(cāng);柯毛龍;徐化勇;馮歐 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江西銘德半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 彭琰 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市南昌小藍(lán)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)富山大道以南、金湖以西 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種AL2O3薄片制備方法，所述制備方法包括：提供一襯底；在所述襯底的上表面外延交替生長(zhǎng)AlXGa1?XAs薄層和GaAs薄層，以在所述襯底的上表面形成外延層；通過光刻掩膜板對(duì)所述外延層進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)獨(dú)立的子外延層；對(duì)每一所述子外延層的AlXGa1?XAs薄層進(jìn)行氧化，以將所述AlXGa1?XAs薄層轉(zhuǎn)化成為AL2O3薄層；對(duì)每一所述子外延層的GaAs薄層進(jìn)行蝕除，得到AL2O3薄片。本發(fā)明通過采用外延生長(zhǎng)、光刻、氧化、以及腐蝕等半導(dǎo)體微加工工藝，AL2O3薄片的厚度通過外延生長(zhǎng)技術(shù)控制，AL2O3薄片的幾何形狀通過光刻工藝控制，具有薄片形狀及厚度可控、厚度可達(dá)納米尺度、高效率、以及低成本等特點(diǎn)，從而為Al2O3薄片批量化可控制備和廣泛應(yīng)用提供了一種有效的新途徑。?? |
