一種可控橫向光場(chǎng)的多結(jié)型半導(dǎo)體激光器及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011600172.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112531461A | 公開（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112531461A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-19 |
| 分類號(hào) | H01S5/32(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔣鍇;李春勇;舒凱;仇伯倉;柯毛龍;徐化勇;馮歐 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江西銘德半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 彭琰 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市南昌小藍(lán)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)富山大道以南、金湖以西 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種可控橫向光場(chǎng)的多結(jié)型半導(dǎo)體激光器及其制造方法，涉及半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域，可控橫向光場(chǎng)的多結(jié)型半導(dǎo)體激光器包括：襯底；多個(gè)含有PN限制層、波導(dǎo)層、量子阱區(qū)、電流限制層的結(jié)型結(jié)構(gòu)，且多個(gè)結(jié)型結(jié)構(gòu)之間均通過一隧道結(jié)進(jìn)行連接；其中，隧道結(jié)為高摻反偏的PN結(jié)，隧道結(jié)包括P型隧穿層和N型隧穿層。通過本發(fā)明所示的可控橫向光場(chǎng)的多結(jié)型半導(dǎo)體激光器，可選擇性插入一種電流限制結(jié)構(gòu)，形成一種在各結(jié)位置處的電流約束通道，從而改善多結(jié)型半導(dǎo)體激光器的電流擴(kuò)展問題，進(jìn)一步改善多結(jié)型半導(dǎo)體激光器的橫向光場(chǎng)分布，使得各結(jié)有源區(qū)發(fā)光的橫向?qū)挾葘?duì)稱或一致，提高其近場(chǎng)遠(yuǎn)場(chǎng)光強(qiáng)均勻性。?? |
