VCSEL芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011585888.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112290379B 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112290379B 申請公布日 2021-04-30
分類號 H01S5/06;H01S5/065;H01S5/183;H01S5/30 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 仇伯倉;馮鷗;舒凱;柯毛龍;徐化勇;李春勇 申請（專利權(quán)）人 江西銘德半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 彭琰
地址 330000 江西省南昌市南昌小藍(lán)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)富山大道以南、金湖以西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種VCSEL芯片及其制造方法，該VCSEL芯片包括芯片主體，芯片主體包括從下到上依次層疊的n型DBR層、有源區(qū)以及p型DBR層，p型DBR層和有源區(qū)之間設(shè)有氧化圈，p型DBR層的頂部設(shè)有上電極，上電極的頂部設(shè)有半導(dǎo)體材料層，半導(dǎo)體材料層采用In(x)GaAl(y)As材料，x表示In的摩爾組份含量，y表示Al的摩爾組份含量，半導(dǎo)體材料層的帶隙大于VCSEL芯片工作波長所對應(yīng)的光子能量，半導(dǎo)體材料層中心預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的In(x)GaAl(y)As材料被刻蝕掉，以使半導(dǎo)體材料層形成帶有缺口的環(huán)形結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體材料層的缺口處鍍有金屬電極，通過對金屬電極施加電流以對半導(dǎo)體材料層加熱，以平衡芯片工作時發(fā)熱引起的熱場分布。本發(fā)明能夠解決高功率工作時光束質(zhì)量變差的問題。