VCSEL芯片及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011585888.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112290379B 公開(kāi)（公告）日 2021-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN112290379B 申請(qǐng)公布日 2021-04-30
分類號(hào) H01S5/06;H01S5/065;H01S5/183;H01S5/30 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 仇伯倉(cāng);馮鷗;舒凱;柯毛龍;徐化勇;李春勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西銘德半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 彭琰
地址 330000 江西省南昌市南昌小藍(lán)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)富山大道以南、金湖以西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種VCSEL芯片及其制造方法，該VCSEL芯片包括芯片主體，芯片主體包括從下到上依次層疊的n型DBR層、有源區(qū)以及p型DBR層，p型DBR層和有源區(qū)之間設(shè)有氧化圈，p型DBR層的頂部設(shè)有上電極，上電極的頂部設(shè)有半導(dǎo)體材料層，半導(dǎo)體材料層采用In(x)GaAl(y)As材料，x表示In的摩爾組份含量，y表示Al的摩爾組份含量，半導(dǎo)體材料層的帶隙大于VCSEL芯片工作波長(zhǎng)所對(duì)應(yīng)的光子能量，半導(dǎo)體材料層中心預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的In(x)GaAl(y)As材料被刻蝕掉，以使半導(dǎo)體材料層形成帶有缺口的環(huán)形結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體材料層的缺口處鍍有金屬電極，通過(guò)對(duì)金屬電極施加電流以對(duì)半導(dǎo)體材料層加熱，以平衡芯片工作時(shí)發(fā)熱引起的熱場(chǎng)分布。本發(fā)明能夠解決高功率工作時(shí)光束質(zhì)量變差的問(wèn)題。