邊發(fā)射大功率激光器及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010892596.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111817138B | 公開（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111817138B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 舒凱;李春勇;柯毛龍;徐化勇;仇伯倉(cāng);馮鷗 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江西銘德半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 彭琰 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市南昌小藍(lán)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)富山大道以南、金湖以西 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種邊發(fā)射大功率激光器及其制造方法，該邊發(fā)射大功率激光器包括：N型襯底；N型緩沖層，設(shè)于所述N型襯底上；N型覆蓋層，設(shè)于所述N型緩沖層上；下波導(dǎo)層，設(shè)于所述N型覆蓋層上，所述下波導(dǎo)層無摻雜；有源區(qū)，設(shè)于所述下波導(dǎo)層上，所述有源區(qū)無摻雜；上波導(dǎo)層，設(shè)于所述有源區(qū)上，所述上波導(dǎo)層無摻雜；P型覆蓋層，設(shè)于所述上波導(dǎo)層上，所述P型覆蓋層的兩端面分別設(shè)置有一絕緣層，所述絕緣層用于限制載流子在波導(dǎo)的端面的注入；P型歐姆接觸層，設(shè)于所述P型覆蓋層上，所述P型覆蓋層和所述P型歐姆接觸層通過蝕刻形成脊形的脊波導(dǎo)。本發(fā)明中的邊發(fā)射大功率激光器可避免激光器腔面受熱燒毀，提高了激光器的功率和可靠性。?? |
