碳化硅晶體熔體生長(zhǎng)裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010780048.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111676519A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111676519A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-18 |
| 分類號(hào) | C30B35/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 鄭紅軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 常州臻晶半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 鄭紅軍;中科臻晶（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 100000北京市海淀區(qū)稻香園3號(hào)樓3單元401 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置領(lǐng)域，具體而言，涉及一種碳化硅晶體熔體生長(zhǎng)裝置。碳化硅晶體熔體生長(zhǎng)裝置包括鍋體和第一碳模塊；所述第一碳模塊設(shè)置在所述鍋體的內(nèi)壁上。本發(fā)明的有益效果是：通過(guò)在鍋體的內(nèi)壁上設(shè)置第一碳模塊，通過(guò)第一碳模塊的設(shè)置，增加了鍋體內(nèi)壁與鍋體內(nèi)部的熔體的接觸面積，提高了碳的溶解效率，能夠?yàn)樘蓟杈w生長(zhǎng)提供了穩(wěn)定的碳供應(yīng)。?? |
