碳化硅晶體生長用熔體裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010779206.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111676518A 公開（公告）日 2020-09-18
申請公布號 CN111676518A 申請公布日 2020-09-18
分類號 C30B35/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 鄭紅軍 申請（專利權(quán)）人 常州臻晶半導體有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 鄭紅軍;中科臻晶（無錫）半導體有限公司
地址 100000北京市海淀區(qū)稻香園3號樓3單元401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及碳化硅晶體生長裝置領域，具體而言，涉及一種碳化硅晶體生長用熔體裝置。碳化硅晶體生長用熔體裝置包括鍋體和含碳熔體；所述含碳熔體設置在鍋體內(nèi)。本發(fā)明的有益效果是：通過在鍋體內(nèi)設置含碳熔體，提高了碳的供應，進而保證了在碳化硅晶體生長時的碳供應。