熔體法生長碳化硅單晶用碳源供應裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010776039.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111676516A | 公開（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申請公布號 | CN111676516A | 申請公布日 | 2020-09-18 |
| 分類號 | C30B29/36(2006.01)I;C30B11/10(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 鄭紅軍 | 申請（專利權）人 | 常州臻晶半導體有限公司 |
| 代理機構 | 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） | 代理人 | 鄭紅軍;中科臻晶（無錫）半導體有限公司 |
| 地址 | 100000北京市海淀區(qū)稻香園3號樓3單元401 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及碳化硅晶體生長裝置領域，具體而言，涉及一種熔體法生長碳化硅單晶用碳源供應裝置。熔體法生長碳化硅單晶用碳源供應裝置包括坩堝本體和碳源塊；所述坩堝本體內設置有熔體；所述碳源塊放置在所述坩堝本體的內部的底部，且被所述熔體覆蓋，所述熔體用于將所述碳源塊溶解為碳化硅晶體生長所需的碳源。本發(fā)明的有益效果是：通過在坩堝本體內的底部放置碳源塊，熔體覆蓋碳源塊，能夠使碳源塊進行充分溶解，進而通過碳源塊給碳化硅晶體生長提供穩(wěn)定的、足夠的碳源，形成穩(wěn)定的碳供應。?? |
