一種帶屏蔽層及底座的深度半導體制冷模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022986594.1 申請日 -
公開（公告）號 CN214371059U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN214371059U 申請公布日 2021-10-08
分類號 F25B21/02（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I 分類 制冷或冷卻；加熱和制冷的聯(lián)合系統(tǒng)；熱泵系統(tǒng)；冰的制造或儲存；氣體的液化或固化;
發(fā)明人 劉凌波;吳永慶;翟仁爽 申請（專利權(quán)）人 杭州大和熱磁電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州杭誠專利事務所有限公司 代理人 鄭汝珍
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)濱康路668號、777號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種帶屏蔽層及底座的深度半導體制冷模塊。為了克服現(xiàn)有技術(shù)半導體制冷裝置為傳感器制冷時會產(chǎn)生干擾信號的問題；本實用新型采用包括依次固定連接設置的底座、雙層半導體制冷片和屏蔽片；底座包括若干引腳，底座的引腳分別與外部電源連接，底座的引腳通過導線與雙層半導體制冷片連接；雙層半導體制冷片的各層之間相應位置的半導體顆粒串聯(lián)；在半導體制冷片的冷面上設置屏蔽片，用于屏蔽半導體制冷片和底座對傳感器的干擾信號。